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IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成，其中，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類(lèi):H型（內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT）、D型（內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT）、C型（內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT）和R型（內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT）。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng)，中大功率的IPM使用陶瓷絕緣

賽米控IPM模塊SKiiP2013GB172-4DL SKiiP智能功率模塊技術(shù)的主要特征是： * IGBT芯片采用分散式的分佈,從而使得熱密度Z小 * 無(wú)銅基板技術(shù) * 彈簧壓接技術(shù) * 模塊內(nèi)部的橋臂單元平行分布從而得到很低的雜散電感. 這些技術(shù)特點(diǎn)使得SKiiP智能功率模塊系統(tǒng)能獲得更小的熱阻，更強(qiáng)的熱循環(huán)能力和負(fù)載循環(huán)能力（是普通模塊的5倍）和更小的雜散電感。

賽米控IPM模塊SKIIP1513GB171-3DL SKiiP智能功率模塊技術(shù)的主要特征是： * IGBT芯片采用分散式的分佈,從而使得熱密度Z小 * 無(wú)銅基板技術(shù) * 彈簧壓接技術(shù) * 模塊內(nèi)部的橋臂單元平行分布從而得到很低的雜散電感. 這些技術(shù)特點(diǎn)使得SKiiP智能功率模塊系統(tǒng)能獲得更小的熱阻，更強(qiáng)的熱循環(huán)能力和負(fù)載循環(huán)能力(是普通模塊的5倍)和更小的雜散電感。